Tranches AXT

Entente sur le commerce : AECG / OMC-AMP / ALÉNA / ALEs avec Canada et Pérou / Colombie / Panama / Corée
Processus de demande des soumissions : Habituellement, une seule entreprise est invitée à soumissionner
Stratégie d'approvisionnement non concurrentielle : Droits exclusifs
Entente sur les revendications territoriales globales : Non
Nom et adresse du fournisseur : 
AXT
4281 TECHNOLOGY DRIVE
FREMONT California
United States
94538
Nature des besoins : 

1. Préavis d'adjudication de contrat (PAC) 

Le préavis d'adjudication de contrat (PAC) est un avis public destiné à informer les fournisseurs qu'un ministère ou un organisme gouvernemental a l'intention d'attribuer à un fournisseur sélectionné à l'avance un contrat pour un bien, un service ou des travaux de construction, ce qui permet aux autres fournisseurs de signaler leur intérêt à soumissionner en présentant un énoncé de capacités. Si aucun autre fournisseur ne présente d'énoncé de capacités qui satisfait aux exigences établies par le PAC, à la date de clôture indiquée dans le PAC ou avant celle-ci, l'agent de négociation des contrats peut alors procéder à l'attribution du marché au fournisseur sélectionné à l'avance. 

2. Définition du besoin 

Le Conseil national de recherches du Canada (CNRC) a besoin de tranches de 3 et 4 pouces (conformes aux spécifications décrites à l'Annexe A), de première qualité et de catégorie mécanique, produites à l'aide de la méthode VGF. La livraison sera effectuée à l'adresse suivante : EPA CNRC, 1200, chemin de Montréal, Ottawa (Ontario) K1A 0R6. La période de l'offre à commandes sera de deux ans à partir de la date d'attribution. 

Le besoin comprend également une option irrévocable de prolonger la période de l'offre à commandes d'une année.

AXT a mis au point des méthodes uniques et hautement spécialisées qui lui sont exclusives. La méthode VGF, permettant la production d'un monocristal, est exclusive et constitue une exigence essentielle étant donné que les essais bêta du CNRC ont été effectués sur des substrats achetés auprès d'AXT. 

D'autres substrats sont nécessaires pour répondre aux besoins d'une clientèle déjà acquise impliquant un volume plus élevé. AXT est le seul fabricant commercial au monde à offrir des tranches d'arséniure de gallium à monocristal produit à l'aide de la méthode VGF.

La méthode VGF est nécessaire en raison des spécifications de rendement, des appareils et du plus grand volume que le CNRC doit produire plus rapidement (renseignements commerciaux à caractère confidentiel). 

3. Critères d'évaluation de l'énoncé des capacités (exigences essentielles minimales) 

Tout fournisseur intéressé doit démontrer, au moyen d'un énoncé de capacités, que ses tranches de phosphure d'indium (InP) satisfont aux exigences décrites à l'Annexe A. 

4. Accords commerciaux s'appliquant au marché 

Ce marché est assujetti aux accords commerciaux suivants : 
o Accord de libre-échange canadien (ALEC)
o Accord sur les marchés publics de l'Organisation mondiale du commerce (AMP-OMC)
o Accord de libre-échange nord-américain (ALENA)

5. Justification du recours à un fournisseur sélectionné à l'avance 

AXT a mis au point des méthodes uniques et hautement spécialisées qui lui sont exclusives. La méthode de congélation d'un gradient vertical [Vertical Gradient Freeze] (VGF) permettant la production d'un monocristal est exclusive et nécessaire puisque les essais bêta du CNRC ont été effectués sur des substrats achetés auprès d'AXT. 

D'autres substrats sont nécessaires pour répondre aux besoins d'une clientèle déjà acquise impliquant un volume plus élevé. AXT est le seul fabricant commercial au monde à offrir des tranches d'arséniure de gallium à monocristal produit grâce à la méthode VGF.

La méthode VGF est nécessaire en raison des spécifications de rendement, des appareils et du plus grand volume que l'on nous demande de produire plus rapidement (renseignements commerciaux à caractère confidentiel). 

6. Exception au Règlement sur les marchés de l'État 

L'exception suivante au Règlement sur les marchés de l'État est invoquée pour ce marché en vertu de l'alinéa 6d) - « le marché ne peut être exécuté que par une seule personne ».

7. Exclusions ou raisons justifiant le recours à un appel d'offres limité 

Les raisons suivantes sont invoquées pour justifier le recours à un appel d'offres limité : 
o Accord de libre-échange canadien (ALEC) - Alinéa 513b)(v)
o Accord sur les marchés publics de l'Organisation mondiale du commerce (AMP-OMC) - Alinéa XIII, 1b) 
o Accord de libre-échange nord-américain (ALENA) - Alinéa 1016.2d)

8. Durée du contrat proposé ou date de livraison

Le contrat proposé est d'une durée de deux ans, à partir de la date d'attribution du contrat. Le contrat comprend la possibilité de prolonger la période contractuelle d'une année. 

9. Nom et adresse du fournisseur sélectionné à l'avance : 

AXT
4281, TECHNOLOGY DRIVE
FREMONT, Californie
94538
États-Unis

10. Droit des autres fournisseurs de présenter un énoncé de capacités

Les fournisseurs qui estiment être pleinement qualifiés et prêts à fournir les biens, les services ou les travaux de construction décrits dans le PAC peuvent présenter un énoncé de capacités à la personne-ressource dont le nom figure dans le présent avis d'ici la date de clôture de ce dernier. L'énoncé de capacités doit clairement démontrer que le fournisseur répond aux exigences indiquées.

11. Date de clôture pour la présentation d'un énoncé de capacités
 
La date de clôture pour la réception des énoncés de capacités est le 17 septembre 2018. 

12. Demandes de renseignements et présentation des énoncés de capacités

Les demandes de renseignements et les énoncés de capacités doivent être envoyés à : 
Shannon MacCuaig
11, rue Laurier, PDP III, 6A2
Gatineau (Québec) K1A 0S5
Téléphone : 873-469-3983
Télécopieur: 819-956-3814
Courriel : shannon.maccuaig@pwgsc.gc.ca



ANNEXE A

1. Spécifications des tranches de 3 pouces

1.1  Tranches de phosphure d'indium de 3 pouces de première qualité dopées en soufre

Spécifications

Bien: Tranche d'InP à monocristal produit à l'aide de la méthode VGF
Catégorie: Première qualité, prête à l'épitaxie
Dopage: Semi-conducteur, de type n, dopé en soufre

Paramètre: Valeur & Unités
Diamètre: 76,2 ± 0,4 mm
Orientation:(100) 0,1 décentré vers <110> ± 0,05 degrés
Plat primaire: EJ (0-1-1) ± 0,02 Haute précision OF degrés
Plat primaire, angle a: 45 degrés
Plat primaire, longueur: 22 ± 1 mm
Plat secondaire: EJ (0-11) 
Plat secondaire, longueur: 12 ± 1 mm
Concentration des porteurs: < 5E18 /cm3
Résistivité: S. O. ohm cm
Mobilité: S. O. cm2/Vs
Densité de dislocations(moyenne):  ± 0,1 degrés
Plat primaire: EJ (0-1-1) ± 0,05 degrés
Plat primaire, angle a: 45 degrés
Plat primaire, longueur: 22 ± 2 mm
Plat secondaire: EJ (0-11) 
Plat secondaire, longueur: 12 ± 2 mm
Concentration de porteurs: <8E18 /cm3
Résistivité: S.O. ohm cm
Mobilité: S.O. cm2/Vs
Densité de dislocations (moyenne): S.O. /cm2
Épaisseur: 625 ± 50 µm
Variation d'épaisseur totale:  ± 0,05 degrés
Plat primaire: EJ (0-1-1) ± 0,05 - Haute précision OF degrés
Plat primaire, angle a: 45 degrés
Plat primaire, longueur: 22 ± 1 mm
Plat secondaire: EJ (0-11) 
Plat secondaire, longueur: 12 ± 1 mm
Concentration de porteurs: S.O. /cm3
Résistivité: >/= 5E6 ohm cm
Mobilité: S.O. cm2/Vs
Densité de dislocations (moyenne):  ± 0,1 degrés
Plat primaire: EJ (0-1-1) ± 0,05 degrés
Plat primaire, angle a: 45 degrés
Plat primaire, longueur: 22 ± 2 mm
Plat secondaire: EJ (0-11) 
Plat secondaire, longueur: 12 ± 2 mm
Concentration des porteurs: S. O. /cm3
Résistivité: >/= 1E6 ohm cm
Mobilité: S. O. cm2/Vs
Densité de dislocations (moyenne): S. O. /cm2
Épaisseur: 625 ± 50 µm
Variation d'épaisseur totale:  ± 0,05 degrés
Plat primaire: EJ (0-1-1) ± 0,02 Haute précision OF degrés
Plat primaire, angle: a 45 degrés
Plat primaire, longueur: 22 ± 1 mm
Plat secondaire: EJ (0-11) 
Plat secondaire, longueur: 12 ± 1 mm
Concentration des porteurs: 5~10E17 /cm3
Résistivité: S.O. ohm cm
Mobilité: S.O. cm2/Vs
Densité de dislocations (moyenne):  ± 0,05 degrés
Plat primaire: EJ (0-1-1) ± 0,02 Haute précision OF degrés
Plat primaire, angle a: 45 degrés
Plat primaire, longueur: 32,5 ± 1 mm
Plat secondaire: EJ (0-11) 
Plat secondaire, longueur: 18 ± 1 mm
Concentration des porteurs: <5E18 /cm3
Résistivité: S.O. ohm cm
Mobilité: S.O. cm2/Vs
Densité de dislocations (moyenne):  ± 0,1 degrés
Plat primaire: EJ (0-1-1) ± 0,05 degrés
Plat primaire, angle a: 45 degrés
Plat primaire, longueur: 32,5 ±2,5 mm
Plat secondaire: EJ (0-11) 
Plat secondaire, longueur: 18 ± 2 mm
Concentration des porteurs: <8E18 /cm3
Résistivité: S. O. ohm cm
Mobilité: S. O. cm2/Vs
Densité de dislocations (moyenne): S. O. /cm2
Épaisseur: 625 ± 50 µm
Variation d'épaisseur totale:  ± 0,05 degrés
Plat primaire EJ: (0-1-1) ± 0,05 - Haute précision OF degrés
Plat primaire, angle a: 45 degrés
Plat primaire, longueur: 32,5 ± 1 mm
Plat secondaire: EJ (0-11) 
Plat secondaire, longueur: 18 ± 1 mm
Concentration des porteurs: S.O. /cm3
Résistivité: >/= 5E6 ohm cm
Mobilité: S.O. cm2/Vs
Densité de dislocations (moyenne):  ± 0,1 degrés
Plat primaire: EJ (0-1-1) ± 0,05 degrés
Plat primaire, angle a: 45 degrés
Plat primaire, longueur: 32,5 ± 2 mm
Plat secondaire: EJ (0-11) 
Plat secondaire, longueur: 18 ± 2 mm
Concentration des porteurs: S.O. /cm3
Résistivité: >/= 5E6 ohm cm
Mobilité: S. O. cm2/Vs
Densité de dislocations (moyenne): S. O. /cm2
Épaisseur: 625 ± 50 µm
Variation d'épaisseur totale:  ± 0,05 degrés
Plat primaire: EJ (0-1-1) ± 0,02 Haute précision OF degrés
Plat primaire, angle a: 45 degrés
Plat primaire, longueur: 32,5 ± 1 mm
Plat secondaire: EJ (0-11) 
Plat secondaire, longueur: 18 ± 1 mm
Concentration des porteurs: 5~10E17 /cm3
Résistivité: S. O. ohm cm
Mobilité: S.O. cm2/Vs
Densité de dislocations (moyenne):